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市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示， DRAM現貨顆粒價格自去年11月起至今漲逾2倍，近期現貨市場價格DDR3 2Gb更上看2美元，美光(MU-USA)第3季財報，營收來到23.2億美元，較上季的20.8億美元成長11.5%，轉虧為盈，淨獲利約4300萬美元。華亞科(3474-TW)的產能全數交由美光處理，大幅貢獻美光在標準型記憶體以及伺服器記憶體的顆粒產出。

DRAMeXchange表示，從市場面來觀察，自今年2月開始，由於南科(2408-TW)正式轉型利基型記憶體公司，而華亞科的產能全數交由美光處理後，大幅貢獻美光在標準型記憶體以及伺服器記憶體的顆粒產出。往年由於DRAM產業競爭激烈，標準型記憶體長久來處於虧損狀態，各DRAM廠皆策略性的轉向其他更高毛利產品，產業轉型下甚至退出DRAM市場，在供給逐步縮減下，2013年起PC DRAM的供給位元不升反降，為歷年首見。

韓系大廠包含三星、SK海力士積極降低標準型記憶體產出比重，轉向行動式記憶體及伺服器記憶體生產，讓標準型記憶體產出近50%的美光半導體成為最大受益者。

展望下半年，由於與日商爾必達的合併案即將於第3季塵埃落定，在併購後投片量將從原先的190K增加至370K，新美光集團在行動式記憶體市場將站穩一席之地。長遠而言，在DRAM寡占型態已經成形的產業架構下，新美光集團在許多領域的競爭力都可望與韓系匹敵。

而從NAND Flash產品的營運表現來看，由於整體產業在今年NAND Flash供應商節制產出，並將多數產能轉往系統產品以減低來自於零售市場低迷表現的衝擊，因此第2季(4月到6月)的顆粒合約價格得以走穩，今年上半年市場供需較去年同期嚴重供過於求的情形有明顯的改善。

在成本改善上，美光持續穩健的由25奈米往下轉進20奈米，並且積極將20奈米導入固態硬碟等高利潤內嵌式產品，美光的20奈米的產出比重在今年第2季正式超越50%，成本競爭優勢將隨著20奈米比重的持續增加而開始出現，拉近與領導廠商的距離。同時美光目前現有NAND Flash產能為每月180K，在考量產品組合優化的情況下，美光自第二季開始將部份新加坡Tech廠的DRAM產能移往NAND Flash，預期自第4季可望全面加入生產行列，年底產能將提升至每月200K的規模。

而從產品分布來看，美光持續將產品規劃與產能移往內嵌式產品的營運主軸將持續不變，除了在固態硬碟以及利基型Flash應用有深厚的基礎與市占率外，隨著爾必達的合併案即將完成，行動式應用的eMMC與eMCP等將會是下半年積極切入的重點。因此認為除了NSG部門的營收可望持續穩健發展外，ESG與WSG部門也將因NAND Flash在嵌入式應用與行動裝置的強勁成長而受惠，整體美光NAND Flash的營收成長動能可期。

從美光的產品結構做分析，伴隨著正式整併爾必達的助益下，標準型記憶體、行動式記憶體及NAND Flash將成美光產品未來的3大主軸，雖著明年DRAM產品計畫導入2Xnm製程及NAND Flash導入1Xnm，由營業利益(Operating Margin)做衡量，爾後續可見的幾個季度也將維持獲利態勢，不論是DRAM或者NAND Flash，只要市場逐步走向健康面及美光自身穩健的核心技術，都將在往後數年獲得豐碩的回報，美光市占可望大舉提升，成為淘汰賽中的最大贏家。